GaN基低温无金欧姆接触电极制备及应用
制备了一种与Si-CMOS工艺线兼容的AlGaN/GaN HEMTs低温无金欧姆接触电极,分析了欧姆前刻槽深度和退火合金条件对Si基AlGaN/GaN异质结无金欧姆接触特性的影响.系统研究了具有不同欧姆前刻槽深度、不同退火条件的AlGaN/GaN异质结的Ti/Al/Ti/TiW无金电极的电流-电压特性、接触电阻率以及电极表面形貌.并利用低温退火的Ti/Al/Ti/TiW无金工艺制备了AlGaN/GaN异质结MISHEMT器件.实验结果表明,采用该无金工艺可得到比接触电阻率为5.44×10-5 Q·cm2、表面形态平整的欧姆接触电极,所制备的AlGaN/GaN异质结MISHEMT器件,在VGS=0 V时的源漏饱和电流(IDSS)为345.7 mA/mm,对未掺杂AlGaN/GaN HEMTs器件的低温无金欧姆接触的实现具有指导意义.
氮化镓基高电子迁移率晶体管、无金欧姆接触、低温合金、欧姆前刻槽、退火工艺
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TN304(半导体技术)
广东省应用型科技研发专项资金重大项目2015B010127013、2016B010123004、2017B010112003;广州市产学研协同创新重大专项201504291502518、201604046021;中山市科技发展专项2017F2FC0002、2017A1007
2019-03-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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