AlGaInAs多量子阱材料增益偏振相关性分析

摘要：

考虑光场限制因子、温度变化和阱间载流子非均匀分布,给出AlGaInAs多量子阱增益求解的分析模型.对量子阱应变量、阱宽和载流子浓度对材料增益TE模和TM模的影响进行了分析.设计出C波段内增益低偏振相关的混合应变多量子阱结构.在15～45℃温度范围,其模式增益具有低的偏振相关性(2％以内);当注入载流子浓度从2×1024 m-3增大到3×1024 m-3时,模式增益逐渐增大,且能在一定温度下保持低的偏振相关(3％以内).

关键词：AlGaInAs多量子阱、增益、低偏振相关、温度

所属期刊栏目：15

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金60877039

在线出版日期：2017-07-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：44-48