抛光过程主要参数对中频误差形成的影响
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

抛光过程主要参数对中频误差形成的影响

引用
为了确认抛光过程中抛光盘大小对光学元件表面中频误差的影响,对双轴式平面研磨抛光的去除特性进行了分析.推导了去除函数的表达式,计算了抛光盘大小对元件的去除量以及其分布的影响.结果表明,不论抛光盘大小如何改变,回转中心的去除量总是最大,去除量最大区域所对应半径随着抛光盘半径的增大而增大,利用这一关系确定了导致中频误差产生的磨头尺寸.通过选择合适的抛光盘尺寸,可以对最大去除量区域范围进行控制,从而有效减少工件在研磨抛光过程中中频误差的产生.

平面研磨、去除量、去除函数、中频误差

15

TH703(仪器、仪表)

四川省教育厅创新团队13TD0048资助项目

2017-03-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

54-58

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

光学与光电技术

1672-3392

42-1696/O3

15

2017,15(1)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn