抛光过程主要参数对中频误差形成的影响
为了确认抛光过程中抛光盘大小对光学元件表面中频误差的影响,对双轴式平面研磨抛光的去除特性进行了分析.推导了去除函数的表达式,计算了抛光盘大小对元件的去除量以及其分布的影响.结果表明,不论抛光盘大小如何改变,回转中心的去除量总是最大,去除量最大区域所对应半径随着抛光盘半径的增大而增大,利用这一关系确定了导致中频误差产生的磨头尺寸.通过选择合适的抛光盘尺寸,可以对最大去除量区域范围进行控制,从而有效减少工件在研磨抛光过程中中频误差的产生.
平面研磨、去除量、去除函数、中频误差
15
TH703(仪器、仪表)
四川省教育厅创新团队13TD0048资助项目
2017-03-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
54-58