激光热效应对CCD探测响应过程的影响

摘要：

采用1.319μm和1.064 μm连续激光辐照硅基CCD,分析了红外激光入射引起的热效应导致的CCD材料的温度分布.计算结果表明随着温度的升高,暗电流不断增大,当温度超过340 K时,增大速度显著上升,暗电流噪声增大到可与串音阈值比拟.建立了不同功率密度激光入射CCD时探测响应模型,比较理想情况和热效应影响下探测响应模拟图.结果表明:由于激光辐照热效应引起的温度升高,进而引起暗电流噪声增大,严重影响CCD的成像效果.

关键词：电荷耦合器、红外激光、热效应、暗电流、探测

所属期刊栏目：13

分类号：TN249(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2015-10-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：41-46