ZnCuInS/ZnS量子点光致发光温度依赖性研究
ZnCuInS/ZnS量子点是一种无重金属“绿色”半导体纳米材料.制备出了直径为2.9 nm的ZnCuInS/ZnS核壳量子点.从ZnCuInS/ZnS量子点的吸收及光致发光光谱中可以看到,量子点的斯托克斯位移为410 meV.这样大的斯托克斯位移表明,ZnCuInS/ZnS量子点的复合机制与缺陷能级有关.研究并计算了在辐射及非辐射驰豫过程的(Huang-Rhys)因子及平均声子能量.结果表明在50～373K范围内,能量带隙的变化以及光致发光光谱的增宽是分别由光从能带边缘向缺陷能级跃迁及载流子声子耦合导致的.
ZnCuInS/ZnS量子点、光致发光、温度特性、能量带隙
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Q472.3(呼吸生理学)
“863”国家技术研究发展计划2011AA050509;国家自然科学基金61106039;国家博士后基金2011049015;吉林省青年基金201101025资助项目
2014-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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