制备全光功能开关的多量子阱材料设计

摘要：

采用有效质量框架下一维有限深势阱模型对InGaAsP多量子阱的组分和阱宽之间的关系进行了计算,利用更符合实验结果的Harrison模型来计算带阶,分别就晶格匹配和应变补偿两种情况进行了比较计算,最后根据要制作的全光功能开关的性能指标对计算结果进行了选择,得到最适合于制作光开关的材料.

关键词：全光功能开关、自旋弛豫时间、InGaAsP、组分、阱宽

所属期刊栏目：4

分类号：TN2(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金60477024

在线出版日期：2006-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：63-65