InxGa1-xN能带结构和Bowing参数的研究

摘要：

应用总能赝势方法和CASTEP程序对InxGa1-xN进行了模拟计算.利用第一原理密度泛函理论来探讨不含应力的闪锌矿化合物半导体InxGa1-xN在In的不同组分下的带隙值,并利用Vegard定理拟合出Bowing参数值为1.5728±0.14783 eV,认为其Bowing值应该在1.5 e V附近.可见InxGa1-xN材料有明显的Bowing现象,这一结果对于InxGa1-xN的异质外延有一定的理论指导作用.

关键词：光学材料、Bowing参数、Vegard定理、第一原理

所属期刊栏目：4

分类号：O471.5(半导体物理学)

资助基金：国家研究发展基金2003CB314902

在线出版日期：2006-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：16-18