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10.3969/j.issn.1672-3392.2003.01.009

GaN基量子点结构的喇曼特征

引用
采用量子力学的微扰理论,对GaN基量子点结构的喇曼频移进行分析.在喇曼实验中,观察InGaN/GaN 量子点结构的E2和A1(LO)的模式,并发现实验中样品的喇曼频移与GaN的体材料相比,有着明显的红移.

量子点、喇曼频移、微扰理论

1

TN248.4(光电子技术、激光技术)

湖北省武汉市科技局科研项目017010121

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

38-40

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光学与光电技术

1672-3392

42-1696/O3

1

2003,1(1)

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