GaN基量子点结构的喇曼特征

摘要：

采用量子力学的微扰理论,对GaN基量子点结构的喇曼频移进行分析.在喇曼实验中,观察InGaN/GaN 量子点结构的E2和A1(LO)的模式,并发现实验中样品的喇曼频移与GaN的体材料相比,有着明显的红移.

关键词：量子点、喇曼频移、微扰理论

所属期刊栏目：1

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：湖北省武汉市科技局科研项目017010121

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：38-40