10.19467/j.cnki.1006-1908.2020.03.002
SiO2纳米改性对PE击穿场强影响的模拟分析
通过Materials Studio软件建立无定型聚乙烯(PE)和PE/二氧化硅(SiO2)界面模型,基于密度泛函理论计算PE和PE/SiO2模型的电子能量,模拟得到PE和PE/SiO2界面模型的击穿场强和陷阱深度.得到结论,纳米SiO2颗粒的加入能够有效提高PE材料的击穿场强,改善材料的耐击穿性能.
聚乙烯、聚乙烯/二氧化硅纳米复合材料、分子模拟技术、击穿场强、陷阱深度
TM247(电工材料)
2020-07-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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6-9,31