上波导层In摩尔分数对InGaN基蓝光激光器性能研究

摘要：

基于实验样品结构,利用PICS3D模拟软件,构建了具有同样结构的InGaN基蓝光激光器,并采取了与实验样品一致的内部参数测定方式,结果表明,内部损耗相对误差为3.5%,实现了严格的比对.随后,构建了一系列InGaN基蓝光激光器,通过比较不同In摩尔分数下的光输出功率、载流子分布、光场分布、辐射复合系数和能带曲线等参数,对上波导层中的In摩尔分数进行优化研究.设计得到了光功率更优的两种不同的优化结构,均有效减少了电子泄漏,提高了斜率效率,从而有效提高了光电转化效率,其中渐变In摩尔分数上波导层结构提升效果更为显著.

关键词：二极管激光器、上波导层、渐变层、电子泄漏

所属期刊栏目：43

分类号：TN248(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2023-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：177-184