cBN基台面结构pin紫外光电探测器建模与性能

摘要：

采用Silvaco TCAD软件构建了立方氮化硼(cBN)基台面结构pin型光电探测器数值计算模型,采用控制变量法研究了n型、i型、p型cBN层材料掺杂浓度、厚度对探测器光电性能的影响,并利用器件物理相关理论对结果进行了分析与讨论.结果表明:p型cBN层掺杂浓度增大时,光电流、暗电流和内量子效率先增大后减小;i型层掺杂浓度增大时,暗电流减小;n型层掺杂浓度增大,光电流、内量子效率增加;光电流和内量子效率随着p层厚度的增大而减小,随着i层厚度的增加而增大;n层厚度越大,光电流越大.

关键词：探测器、cBN、光电流、暗电流、内量子效率

所属期刊栏目：43

分类号：TN364+.2(半导体技术)

资助基金：西安市未央区科技计划项目201705

在线出版日期：2023-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：10-19