1550 nm高功率基横模半导体激光器及温度特性

摘要：

通过引入渐变Al组分和脊型波导的设计,制备了 1550 nm高功率AlGaInAs/InP基横模半导体激光器,室温连续工作模式下器件的斜率效率达到0.35 mW/mA,在500 mA的工作电流下,输出功率为138 mW,垂直和水平方向的远场发散角分别为32.9°和11.1°,证明器件具有良好的基横模输出特性.同时,建立高阶模截止条件温度模型,研究了器件在不同温度下功率-电流(P-I)曲线中kink效应与远场发散角steering效应的产生原因,阐述了温度对基横模和高阶模增益的影响机制.通过比较不同腔长器件发生kink效应的电流大小,证明长腔长结构可以有效防止kink效应的发生.

关键词：激光器、1550 nm、基横模、kink效应、温度

所属期刊栏目：43

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：中国科学院战略性先导科技专项XDB43030301

在线出版日期：2023-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：104-110