考虑小尺寸效应的Micro-LED驱动结构设计
设计一款芯片尺寸为300μm的蓝绿光微型发光二极管(Micro-LED)并将其点亮,通过TCAD仿真对芯片尺寸为10、38、100、300μm的Micro-LED进行模拟仿真,探究了Micro-LED的小尺寸效应,发现随着Micro-LED尺寸的减小,开关损耗增加.因此,针对提高小尺寸Micro-LED单点像素的驱动电流密度过程中产生的开关损耗增加的问题,模拟仿真驱动电路驱动Micro-LED的开关特性过程,进行减小开关损耗的研究.利用Sentaurus TCAD软件进行仿真,设计了一台沟道长度为0.18μm的p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOS)器件,将PMOS器件和Micro-LED器件通过铟凸点进行键合,并对PMOS驱动电路驱动单独Micro-LED像素进行仿真,进一步进行PMOS驱动两个Micro-LED像素的仿真,从而模拟阵列像素驱动的情况,通过比较开关延迟时间判断驱动效果并进行实验验证,发现当PMOS接入限流电阻驱动Micro-LED时,阻值越小,驱动效果越好,而且起到消除浪涌、限流分压的作用,但PMOS直接驱动Micro-LED比加入限流电阻的效果更好,PMOS驱动阵列Micro-LED相比于驱动单独Micro-LED开关损耗更小、驱动效果更好.
光学器件、微型发光二极管、小尺寸效应、PMOS驱动、开关延迟时间
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TN312+.8;TN386.1(半导体技术)
上海市科技创新行动计划高新技术领域项目;上海市科技创新行动计划高新技术领域项目
2023-03-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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