硫化锑同质结薄膜太阳电池设计与缺陷分析

摘要：

硫化锑(Sb2S3)薄膜具有n型和p型两种导电类型.利用wxAMPS对具有不同电子传输层和空穴传输层的Sb3S3同质结太阳电池进行了设计和缺陷分析.提出了由glass/FTO/ZnS/(n)Sb2S3/(p)Sb3S3/Spiro-OMeTAD/Au构成的器件结构.在Sb2S3同质结太阳电池中形成的内建电场增加了能带的弯曲程度,从而导致了开路电压的增加.(p)Sb2S3中缺陷对器件性能的影响比(n)Sb2S3中的缺陷对器件性能的影响更大,而在ZnS/(n)Sb2S3界面和(p)Sb2S3/Spiro-OMeTAD界面处的缺陷对器件性能有同样重要的影响.当(n)Sb2S3和(p)Sb2S3中的缺陷密度都为1015cm-3,且ZnS/(n)Sb3S3界面处和(p)Sb2S3/Spiro-OMeTAD界面处的缺陷密度都为109cm-2时,太阳电池的效率能够达到 23.96％.模拟结果表明,基于Sb2S3同质结的器件设计是实现高效太阳电池的有效结构.

关键词：薄膜、硫化锑、同质结、薄膜太阳电池、wxAMPS、缺陷

所属期刊栏目：42

分类号：TM914.4

资助基金：江西省新能源工艺;装备工程技术研究中心开放基金;东华理工大学博士科研启动基金项目

在线出版日期：2023-03-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：229-236