SiNx填充的定向耦合器型偏振无关解复用器

摘要：

设计了一种基于SiN.填充的定向耦合器(DC)型偏振无关解复用器,用于分离1310 nm和1550 nm两个波长的光信号.采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法调节DC波导间隙内填充的SiNx材料的折射率,使同一波长下横电(TE)偏振模和横磁(TM)偏振模的耦合长度相等,实现器件的偏振无关功能.通过优化波导间隙,调整两个波长光信号所对应的耦合长度比,选择合适的值可使其分别从两个端口输出,实现波长分离功能.运用三维有限时域差分方法进行建模仿真,对器件进行参数优化和性能分析.结果表明:所提出的解复用器的耦合区长度仅为22.8 μm,插入损耗和串扰(CT)分别低至0.05dB和-21.58dB,CT小于-10dB的带宽可达79nm,且总体容差性良好.所设计的器件在未来的集成光路系统中具有潜在的应用价值.

关键词：光学器件、定向耦合器、偏振无关、SiNx、解复用器

所属期刊栏目：42

分类号：TN256(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金;江苏省自然科学基金;南京邮电大学校级科研基金

在线出版日期：2022-11-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：167-175