双步激光辐射提升纳秒激光抛光单晶硅的表面
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3788/AOS202242.0714004

双步激光辐射提升纳秒激光抛光单晶硅的表面

引用
单晶硅是一种重要的半导体材料.通常,铸锭切片后的单晶硅表面易产生较深的沟槽、凹坑和裂纹等缺陷.针对这一问题,提出了一种双步激光辐射的方法,其在修复表面缺陷的同时,可以降低表面粗糙度.首先,通过有限元法模拟对不同激光参数下可修复的缺陷深度进行预测.然后,在0.50 J/cm2的较高能量密度下,利用较深的表面层熔化修复各种深度的表面缺陷.然而,由于高能量密度下引发的热毛细管流易造成高频特征残留在表面上,故会导致表面粗糙度增加.接着,使用一个0.20 J/cm2的低能量密度再次辐射同一表面,可有效消除残留的高频特征.最终,原始表面粗糙度为1.057 μm的表面经过双步激光辐射后可获得一个表面粗糙度为26 nm的无缺陷光滑表面.

激光光学、单晶硅表面缺陷、纳秒激光辐射、有限元模拟、毛细管流动、表面张力

42

TH162

国家自然科学基金;国家自然科学基金

2022-06-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共8页

212-219

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

光学学报

0253-2239

31-1252/O4

42

2022,42(7)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn