对915 nm InGaAsP/GaAsP初次外延片量子阱混杂的研究

摘要：

高输出功率和长期可靠性是高功率半导体激光器得以广泛应用的前提,但高功率密度下腔面退化导致的光学灾变损伤(COD)制约了激光器的最大输出功率和可靠性.为了提高915 nm InGaAsP/GaAsP半导体激光器的COD阈值,利用金属有机物化学气相沉积设备来外延生长初次样片.探讨了量子阱混杂对初次外延片发光的影响.此外,使用光致发光谱测量了波峰蓝移量和发光强度.实验结果表明,在退火温度为890℃、退火时间为10 min条件下,波峰蓝移量达到了62.5 nm.对初次外延片进行量子阱混杂可得到较大的波峰蓝移量,且在退火温度为800～890℃、退火时间为10 min的条件下峰值强度均保持在原样片峰值强度的75％以上.

关键词：激光器、高功率半导体激光器、快速热退火、量子阱混杂、光学灾变损伤、非吸收窗口

所属期刊栏目：42

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：国防科技重点基金6142405041803

在线出版日期：2022-03-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：184-190