底部反射增强的GaAs纳米线径向p-i-n结阵列太阳能电池
提出了一种基于底部反射增强的GaAs纳米线径向p-i-n结阵列的太阳能电池,利用有限差分时域法和有限元方法对其光谱吸收和光伏性能进行了研究.结果 表明,将聚合物和衬底之问的SiO2替换为低折射率的MgF2介质层,不仅显著降低了衬底的吸收损耗,还显著提高了纳米线阵列在整个波长范围内对光的吸收率.此外,通过优化i区厚度和纳米线长度,可将太阳能电池的光电转换效率提升至13.9％.该研究为实现低成本、高性能的纳米太阳能电池提供了一条可行途径.
集成光学、纳米线、太阳能电池、底部反射、转换效率
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O439(光学)
国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家重点研发计划;北京市科技计划;信息光子学与光通信国家重点实验室北京邮电大学自主研究课题
2021-12-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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