基于衍射谱分析的全芯片光源掩模联合优化关键图形筛选
提出了一种全芯片光源掩模联合优化的关键图形筛选方法,用图形的主要频率表征图形的特征,用主要频率的位置和轮廓信息描述主要频率在频域上的分布特征.设计了相应的主要频率提取方法、覆盖规则、聚类方法以及关键图形筛选方法,实现了全芯片光源掩模联合优化的关键图形筛选.采用荷兰ASML公司的商用计算光刻软件Tachyon进行了仿真验证,与ASML公司同类技术的对比结果表明,本方法获得的工艺窗口优于ASML Tachyon方法.
光学设计、光刻、分辨率增强技术、光源掩模联合优化、图形筛选
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TN305.7(半导体技术)
国家科技重大专项;国家科技重大专项;上海市自然科学基金
2021-03-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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