面向微显示的小电流655 nm Micro-RCLED

摘要：

针对微显示对高外量子效率、低工作电流和稳定光谱波长的红光LED的需求,提出了一种将共振腔发光二极管与AlAs侧向氧化技术相结合的Micro-RCLED.该器件利用共振腔改变有源区自发辐射场的空间分布,将更多的光分布在光提取角之内以提高光提取效率,而且共振腔还有利于输出光谱波长的稳定.AlAs氧化孔对电流的横向限制既有利于降低侧壁的Shockley-Read-Hall非辐射复合,又可减少漏电,从而提高辐射复合效率.另外,P电极出光孔的直径大于AlAs氧化电流注入孔的直径,因此,金属P电极对出射光的吸收可以有效避免.同时,制作了3个并联的655 nm Micro-RCLED,每个单元的出光孔径为17 μm.IdV/dI-I曲线的拟合结果表明,120 Ω的串联电阻器件在1 mA时的输出光功率为0.21 mW,外部量子效率大于10％,并且可以在低于1μA的注入电流下点亮单个单元.另外,当工作电流密度变化12.5倍时,峰值波长仅增加1.5 nm,光谱的半峰全宽仅增加0.33 nm.这使得RCLED作为单色光源在Micro-LED中的应用成为可能.

关键词：物理光学、发光、谐振腔、AlAs横向氧化、微型发光二极管、红光发光二极管

所属期刊栏目：40

分类号：TN29(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家重点研发计划;北京市项目;北京市教委科技项目

在线出版日期：2020-09-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：170-175