基于光刻胶三维形貌的光刻多参数联合优化方法
多参数联合优化是光刻分辨率增强技术的发展方向.提出了一种以光刻胶三维形貌差异为评价目标的光刻多参数联合优化方法.以多个深度位置的光刻胶图形误差为目标函数,对光源、掩模、投影物镜波前、离焦量和曝光剂量进行联合优化,提高了光刻胶图形三维形貌的质量.为获得较高的优化效率,采用自适应差分进化算法实现光源和掩模的优化,并针对其他参数的特点,采用不同优化方法进行优化.对密集线、含有交叉门的复杂掩模图形和静态随机存储器中的典型图形进行了仿真验证,可用焦深的最大值分别达到237 nm、115 nm和144.8 nm,曝光宽容度的最大值分别达到18.5%、12.4%和16.4%.与基于空间像的光源掩模投影物镜联合优化技术相比,所提方法明显扩大了工艺窗口.
光学制造、光刻、分辨率增强技术、光源掩模优化、光刻胶
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O436.1(光学)
上海市自然科学基金;国家科技重大专项
2020-05-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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