生长中断法生长InAs/GaSbⅡ型超晶格材料表面形貌的研究
利用分子束外延技术,基于控制快门开关顺序的生长中断法,在GaSb衬底上生长了10周期和20周期的InAs(10 monolayer,10ML)/GaSb(10ML)Ⅱ型超晶格材料.实验中,基于软件模拟对生长参数进行调控分析,实现了As-Sb高效的置换,有效地降低了界面的应力.通过双晶X射线衍射和原子力显微镜对超晶格样品表面形貌进行测试和表征,应变分别减少到0.64%和0.56%,均方根粗糙度仅为0.81 nm和0.45 nm,为后续器件的制备提供了基础.
材料、光学材料、超晶格、生长中断法、InAs/GaSb、分子束外延
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O472(半导体物理学)
国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金
2019-11-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
286-290