1.55-μm大功率高速直调半导体激光器阵列

摘要：

提出一种基于A1GaInAs材料的1.55-μm波段的大功率、高速直调分布反馈(DFB)激光器阵列.采用具有良好温度特性和高微分增益的A1GaInAs材料作为量子阱和波导层以实现大功率与高带宽的输出;引入稀释波导结构来减小有源区内部损耗,同时降低远场发散角;采用悬浮光栅并优化耦合系数以实现大注入电流下的单模稳定工作.最终实现了1.5-μm波段5波长的大功率直调激光器阵列,阵列波长间隔约为5 nm,室温连续波(CW)工作时各通道输出光功率均大于100mW,单通道最大输出光功率为160mW,500 mA工作电流范围内边模抑制比大于55 dB,小信号调制带宽可达7 GHz,激光器最小线宽为520 kHz,相对强度噪声低于-145 dB/Hz.

关键词：激光器、1.55-μm直调激光器、大功率、高带宽、激光器阵列

所属期刊栏目：39

分类号：O475(半导体物理学)

资助基金：国家重点研发计划;国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2019-11-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：216-220