450nm GaN基半导体激光器腔面反射率的优化

摘要：

分析腔面反射率对GaN基半导体激光器斜率效率和输出功率的影响,并对出射波长为450 nm的激光器进行实验验证.结果 表明,对于非对称谐振腔结构,通过优化腔面反射率,可以抑制空间烧孔非线性效应,提高器件的微分量子效率和最大输出功率.当前腔面反射率为5％时,斜率效率大于1.3 W· A-1,并在3A的连续工作电流下,获得了2.6W的高功率输出.

关键词：激光器、半导体激光器、GaN、腔面反射率、空间烧孔

所属期刊栏目：39

分类号：O436(光学)

资助基金：四川省科技厅面上项目2018JY0621

在线出版日期：2019-07-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：204-207