8T-全局曝光CMOS图像传感器单粒子翻转及损伤机理

摘要：

针对卫星轨道上空间辐射环境引起的光学相机性能退化问题,采用8晶体管(8T)-全局曝光互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器进行重离子辐照实验.实验结果显示,不同功能模块寄存器发生单粒子翻转,导致输出图像出现不同的异常模式,主要表现为输出图像“卡零”、若干相邻列输出异常、整幅图像“花屏”等.结合器件的不同子电路功能、工艺结构和工作原理,分析重离子入射器件微观作用过程对宏观图像异常模式的影响,深入探讨器件不同功能模块单粒子翻转的敏感性和损伤机理.研究结果可为CMOS图像传感器加固设计、单粒子地面模拟实验方法及标准和评估技术的建立提供重要参考.

关键词：探测器、互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器、重离子辐照、单粒子翻转、损伤机理

所属期刊栏目：39

分类号：TN386.5(半导体技术)

资助基金：青年创新基金CASC20170807

在线出版日期：2019-07-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：33-41