ZnO:W透明导电薄膜的调制生长与表面氢化处理
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3788/AOS201838.0531001

ZnO:W透明导电薄膜的调制生长与表面氢化处理

引用
采用射频磁控溅射法,在不同溅射功率下沉积ZnO:W薄膜层55 min,然后通人体积分数为5%的氢气,并保持溅射参数不变,表面氢化处理8 min,获得了表面具有绒面结构的ZnO:W透明导电薄膜.对样品的显微形貌、结构和表面绒度等性能进行了测试与分析,结果表明:在200 W的溅射功率条件下,氢化处理8 min获得的ZnO:W样品表面绒度达到92.82,同时具备优异的导电性能(电阻率均值3.93X10-4 Ω·cm).这种表面绒面结构有望进一步提高ZnO透明导电电极电池的转换效率.

薄膜、ZnO:W透明导电薄膜、磁控溅射、氢化处理、绒度结构、陷光效应

38

TN204(光电子技术、激光技术)

国家自然科学基金;江西省科技厅自然科学重点项目;江西省科技厅自然科学重点项目;江西省科技厅自然科学重点项目;江西省教育厅自然科学项目

2018-08-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

353-358

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

光学学报

0253-2239

31-1252/O4

38

2018,38(5)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn