4×15Gbit/s 850nm垂直腔面发射激光器列阵

摘要：

采用金属有机物化学气相沉积设备生长InGaAs/AlGaAs应变多量子阱有源区和双氧化限制层的外延整体结构,利用断点监控电感耦合等离子体刻蚀技术、精确湿法氧化控制技术等芯片制造技术,实现了氧化孔径为 7 μm、相邻单元间隔为250 μm的高速调制4× 15 Gbit/s 850 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵.测试得到了 VCSEL列阵的静态特性和动态特性:阈值电流为0.7 mA,斜效率为0.8 W/A;在6 mA工作电流下,工作电压为 2.3 V,光功率为4.5 mW.在15 Gbit/s调制速率下,眼图轮廓清晰,线迹很细,抖动较小且无明显串扰.对比列阵各单元在15 Gbit/s调制速率下眼图的上升时间、下降时间、信噪比、均方根抖动等相关参数,结果表明其动态性能的一致性良好.利用箱线图分析得出外延片上VCSEL器件性能的一致性能良好,能够满足批量生产的要求.

关键词：激光器、激光光学、高速调制垂直腔面发射激光器列阵、金属有机物化学气相沉积、外延结构、芯片工艺、静态和动态特性

所属期刊栏目：38

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2018-08-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：141-147