基于M壳层辐射的Si K边X射线吸收近边结构谱实验研究

摘要：

基于纳秒高功率激光辐照高原子序数靶材产生的等离子体M壳层X射线辐射,利用椭圆柱面晶体谱仪进行薄膜单晶Si样品的K边X射线吸收近边结构谱(XANES)静态实验研究;通过详细介绍实验方案,分析椭圆柱面晶体谱仪的原理,得到谱仪的位置-能量色散关系,并对Au、Lu、Yb、Dy、Ta、Co这6种靶材产生的等离子体X射线光谱进行比较.结果表明:通过比较这6种靶材产生的等离子体X射线光谱后发现,在Si的K边(1839 eV)附近,Lu、Yb、Dy靶材的激光等离子体M壳层辐射相对其他几种靶材具有较高的光谱亮度,对应的XANES的信噪比较好;实验获得的XANES与FEFF9.0软件计算结果基本符合,验证了单发获得的静态实验数据是可靠的.

关键词：光谱学、X射线吸收近边结构谱、激光等离子体、椭圆柱面晶体谱仪

所属期刊栏目：38

分类号：O436(光学)

资助基金：中国工程物理研究院科学技术发展基金2014A0101001;科学挑战专题项目TZ2016001;中国工程物理研究院规划发展项目TCGH012404

在线出版日期：2018-05-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：441-446