非对称包层调制型布拉格光栅
为了优化光栅性能,提出一种基于互补金属氧化物半导体兼容性制造工艺的非对称包层调制光栅结构.该结构通过调整光栅齿的位置来改变波导中传输光的耦合率,最终达到改善光栅的反射带宽、消光比、输出功率等性能参数的目的.利用耦合模理论分析了该改进型光栅结构对光栅耦合率、反射带宽及输出性能的影响,同时利用有限元方法进行了数值仿真.结果表明,该改进型光栅的反射带宽由0.9 nm减小到0.3 nm,消光比的绝对值从29.2 dB增加到35.1 dB,耗散到包层的光功率从5.99×10-5 W减小到3.13×10-5 W;该改进型光栅器件性能得到改善.
光栅、硅基光学、布拉格光栅、耦合模理论、有限元数值仿真、窄带反射
37
TN256(光电子技术、激光技术)
甘肃省自然科学基金;甘肃省建设科技攻关计划;甘肃省高等学校科研项目
2017-09-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
44-49