极紫外光刻含缺陷掩模仿真模型及缺陷的补偿

摘要：

建立了一个基于单平面近似的极紫外(EUV)光刻三维含缺陷掩模的快速仿真模型.该仿真模型中,采用相位突变和振幅衰减表示缺陷对多层膜的反射系数的影响,吸收层模型采用薄掩模修正模型.以22 nm三维接触孔图形为例,周期为60 nm时,该仿真模型与波导法严格仿真相比,仿真速度提高10倍以上,而关键尺寸(CD)仿真误差小于0.6 nm.基于该仿真模型,对掩模缺陷进行了补偿计算,得到了与严格仿真一致的最佳图形修正量.针对不同的缺陷形态尺寸,提出了缺陷的可补偿性的概念,并进一步讨论了二维图形的缺陷的可补偿性.

关键词：光学制造、极紫外光刻、掩模仿真、缺陷补偿、单平面近似

所属期刊栏目：35

分类号：O436(光学)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家国际科技合作专项基金

在线出版日期：2015-09-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：285-293