一种基于深刻蚀的硅基周期波导微腔

摘要：

研究了一种基于深刻蚀的硅基周期波导一维光子晶体微腔,采用时域有限差分(FDTD)方法对设计的微腔结构进行了模拟分析;讨论了深刻蚀对微腔品质因数的影响,计算表明采用深刻蚀可有效地保持高Q值并能保证微腔的机械强度.采用电子束光刻(EBL)结合感应耦合等离子体(ICP)刻蚀制作了绝缘硅(SOI)的周期波导微腔,使用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对器件形貌进行表征,观察到深刻蚀的衬底二氧化硅高度约为80 nm.通过波导光栅耦合光纤输入宽带光源信号对微腔器件进行光学表征,传输光谱测试表明该深刻蚀微腔器件Q值达5×103,插入损耗小于-2 dB.该深刻蚀的硅基周期波导微腔可用于集成光传感器和片上波分复用滤波器等应用.

关键词：集成光学、光学器件、光学微腔、光子晶体、周期波导

所属期刊栏目：35

分类号：TN256(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金;浙江省自然科学基金;宁波市自然科学基金;宁波市自然科学基金;福建省教育厅省属高等学校专项;福建省中青年教师教育科研项目

在线出版日期：2015-09-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：165-170