InGaAs/GaAs应变量子阱的发光特性研究

摘要：

利用低压金属有机化学气相沉积技术(LP-MOCVD)生长InGaAs/GaAs单量子阱(SQW),通过改变生长速率、优化生长温度和Ⅴ/Ⅲ比改善了量子阱样品的室温光致发光(PL)特性.测试结果表明,当生长温度为600℃、生长速率为1.15 μm/h时,生长的量子阱PL谱较好,增加Ⅴ/Ⅲ比能够提高量子阱的发光强度.实验分析了在不同的In气相比条件下,生长速率对量子阱质量的影响,利用模型解释了高In气相比时,随着生长速率增加PL谱蓝移现象消失的原因.

关键词：薄膜、金属有机化学气相沉积、InGaAs/GaAs单量子阱、生长速率、生长温度、光致发光

所属期刊栏目：34

分类号：O472+.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;中国工程物理研究院联合基金;吉林省科技发展计划;国家重点实验室基金

在线出版日期：2014-12-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：342-347