Ac掺杂β-FeSi2光电性质的第一性原理研究

摘要：

基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理赝势平面波方法,对锕(Ac)掺杂β-FeSi2的几何结构,电子结构和光学性质进行了计算与分析.几何结构的计算表明:Ac掺杂后β-FeSi2晶格常数a、b及c都有所变化,晶胞体积增大.电子结构的计算表明:Ac掺入后导致费米面进入导带,能带结构仍为准直接带隙,但是带隙明显变窄;费米能级附近,总电子态密度主要由Fe的3d层和Si的3p层电子态密度决定,Ac的6d层电子态密度贡献很小.光学性质的计算表明:静态介电常数ε1(o)明显提高,介电函数的虚部ε2的峰值向低能方向移动并且减弱,折射率n0明显提高,消光系数k向低能方向有一微小的偏移,吸收峰增强,平均反射效应变化不大,计算结果为β-FeSi2材料掺杂改性的实验研究提供了理论依据.

关键词：材料、β-FeSi2、电子结构、光学性质、掺杂、第一性原理

所属期刊栏目：34

分类号：O474;O472+.3(半导体物理学)

资助基金：贵州省科学技术厅、安顺市人民政府;安顺学院联合科技基金;贵州省科技厅自然科学研究项目;贵州省教育厅市州地普通本科高等学校教育质量提升项目;安顺学院青年项目

在线出版日期：2014-12-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：245-250