用归一化光谱分布差异表征AlGaInP基LED阵列的平均结温

摘要：

提出了一种采用归一化光谱分布的总体差异表征A1GaInP基发光二极管(LED)阵列平均结温的新方法.采用光谱仪测量了不同衬底温度、不同注入功率时,3种LED阵列的归一化光谱分布,研究了归一化光谱分布差异与LED阵列平均结温的关系,并将归一化光谱分布差异表征平均结温的准确度与文献报道的中心波长法相比较.研究结果表明:无论是改变衬底温度还是注入功率,采用常用的1 nm采样间隔的光谱仪,归一化光谱分布差异与LED阵列平均结温的变化成良好的线性关系,线性度优于中心波长法,因此归一化光谱分布差异可以用于平均结温的测算,且准确度高于中心波长法.

关键词：光谱学、结温测试、光谱分析、发光二极管阵列、光谱仪、归一化光谱分布差异

所属期刊栏目：34

分类号：TN312+.8;O433.4(半导体技术)

资助基金：常州工学院重点项目;常州现代光电技术研究院项目

在线出版日期：2014-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：307-311