应力调制下β-FeSi2电子结构及光学性质
采用第一性原理赝势平面波方法对应力调制下β-FeSi2的电子结构及光学性质进行了计算,全面分析了应力对β-FeSi2能带结构、电子态密度和光学性质的影响.在各向同性应力的作用下,压缩晶格使β-FeSi2的导带向高能区漂移,带隙变宽,拉伸晶格使导带向低能区漂移,带隙变窄,且当拉伸应力增加到-25 GPa时,费米能级穿过了价带和导带,β-FeSi2由半导体变成了导体;压缩晶格会使各光学参数发生蓝移,增大β-FeSi2的吸收系数和光电导率,降低反射率,而拉伸晶格会导致红移,增大静态介电常数,折射率n0和反射率,降低吸收系数.施加应力可以调节β-FeSi2的电子结构和光学性质,是改变和控制β-FeSi2的光电传输性能的有效手段.
材料、β-FeSi2、电子结构、光学性质、应力、第一性原理
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O481.1;O472+.3;O521+.21(固体物理学)
国家自然科学基金61264004;贵州省科技厅自然科学基金黔科合J字[2009]2055,[2010]2001;贵州省教育厅科研项目黔高教发[2011]278;贵州省教育厅功能材料与资源化学特色重点实验室、贵州省教育厅航空电子电气与信息网络工程中心
2013-10-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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