静电放电对GaN基功率型LED老化特性的影响

摘要：

对GaN基蓝光功率型LED在老化前和老化期间施加反向人体模式静电放电(ESD),并对静电打击前后及老化前后的LED光学电学参数进行分析.实验结果及理论分析表明,ESD使LED芯片有源层及限制层中产生缺陷,最终导致电学特性及光学特性的变化.ESD给LED带来的损伤可在老化前期过程中被局部恢复,但随着老化时间推移,电参数漂移程度及光衰幅度不断增大,而老化过程中LED对ESD的敏感度增加,使LED抗ESD能力减弱.

关键词：光学器件、LED、氮化镓、静电放电、电流-电压特性

所属期刊栏目：32

分类号：TN364+.2(半导体技术)

资助基金：国家863计划2009AA03A1A3;国家科技支撑计划2011BAE01B14

在线出版日期：2012-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：206-209