折射率对金属-电介质-金属光子晶体强透射特性的影响

摘要：

通过改变一个薄电介质层的折射率来研究其对金属-电介质-金属光子晶体( M-D- MPhC)强透射特性的影响.采用与CMOS工艺兼容技术制作了由折射率分别为[nd(SU-8)=1.6,nd(SiO2.1N0.3)=1.6和nd(SiO0.6N1)=1.8]组成的三个正方形晶格圆L阵列M-D-MPhC结构,利用傅里叶变换红外光谱仪测量其透射光谱.实验结果发现,金- SiO2.1N0.3-金结构能够获得较强的光透射增强效果和较窄的透射峰,证明了M-D-MPhC强透射特性既与中间电介质折射率大小有关,又与其材料制作工艺差异有关.采用时域有限差分( FDTD)法模拟了在相同条件下折射率分别为1.6和1.8组成的M-D-MPhC透射光谱和电场强度密度分布,模拟结果较好地符合了实验发现.

关键词：表面光学、折射率、强透射特性、时域有限差分法、金属-电介质-金属光子晶体

所属期刊栏目：32

分类号：O734(晶体物理)

资助基金：国家自然科学基金;博士科研启动基金

在线出版日期：2012-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：193-197