22nm极紫外光刻物镜热和结构变形及其对成像性能影响

摘要：

极紫外光刻技术(EUVL)是半导体制造实现22 nm及其以下节点的下一代光刻技术.在曝光过程中,EUVL物镜的每一面反射镜吸收35％～40％的入射极紫外(EUV)能量,使反射镜发生热和结构变形,影响投影物镜系统的成像性能.基于数值孔径为0.3,满足22 nm技术节点的产业化EUV投影物镜,采用有限元分析(FEA)的方法研究反射镜变形分布,再将变形导人光学设计软件CODE V中,研究反射镜变形其对成像特性的影响.研究结果表明:当达到硅片的EUV能量为321 mW,产量为每小时100片时,反射镜最高升温9.77℃,通光孔径内的最大变形为5.89 nm；若采用相干因子0.5的部分相干光照明,变形对22 nm线宽产生6.956 nm的畸变和3.414％的线宽误差.

关键词：热和结构变形、成像性能、有限元方法、极紫外光刻、投影物镜

所属期刊栏目：32

分类号：TN305.7(半导体技术)

在线出版日期：2012-07-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：215-222