多晶硅表面织构化新工艺的研究

摘要：

先后采用电化学腐蚀法和化学酸腐蚀法腐蚀多晶硅,用于制备高效率多晶硅太阳电池.首先将多晶硅片在HF和CH3 CH2 OH体积比为1:2的溶液中进行电化学预腐蚀,具体研究不同电流密度对多晶硅绒面形貌的影响;然后采用化学酸腐蚀法进行二次腐蚀,去除多晶硅表面的疏松结构,得到高性能的多晶硅绒面.使用扫描电镜观察多晶硅表面腐蚀形貌.实验结果表明,当电流密度为30 mA/cm2、腐蚀时间为300 s时,多晶硅表面形成带孔洞的疏松结构；预腐蚀后多晶硅片在HF和H2 O2体积比为4:l的化学腐蚀溶液中,在室温超声腐蚀60 s后,腐蚀坑平均孔L径为2～4μm,坑深为1.5～2 μm,能达到良好的光陷阱作用和减反射效果,可以提高多晶硅太阳电池的光电转换效率.

关键词：材料、多晶硅、电化学腐蚀、化学酸腐蚀、表面织构

所属期刊栏目：31

分类号：TM914.4

资助基金：江西省重大科技专项2009AZD10103;江西省科技厅重大招标项目CB200901285

在线出版日期：2012-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：176-181