激光溅射沉积制备的ZnO:Ga薄膜表面形貌分析

摘要：

薄膜表面形貌定量研究有助于薄膜生长机理的认识.研究的薄膜是用激光脉冲沉积法(PLD)制备的ZnO:Ga(GZO)透明导电薄膜.由于GZO薄膜的生长是在远离平衡态情况下实现的,具备自仿射分形特征,可以用高度-高度相关函数进行描述.通过对用原子力显微镜(AFM)获得的表面高度数据进行相关运算,定量地分析了PLD制备的GZO薄膜的生长界面特征,求出了描述粗糙表面的高度-高度相关函数的三个重要参量W,ξ和α,发现制备的GZO薄膜生长符合Kuromoto-Sivashinsky生长模型.

关键词：薄膜、ZnO:Ga、原子力显微镜、高度-高度相关函数、表面形貌

所属期刊栏目：31

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金;山东省自然科学基金

在线出版日期：2011-05-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：272-276