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10.3788/AOS20092907.2022

LBO晶体上1064 nm,532 nm二倍频增透膜的制备和性能

引用
采用电子束蒸发方法在三硼酸锂(LBO)晶体上制备了1064 nm,532 nm二倍频增透膜.利用Lambda900分光光度计、MTSNanoIndenter纳米力学综合测试系统以及调Q脉冲激光装置对样品的光学性能、附着力和激光损伤阈值进行了分析测试.结果表明,通过多次实验,不断改进薄膜沉积工艺条件,在LBO晶体上获得了综合性能优异的二倍频增透膜.样品在1064 nm,532 nm波长的剩余反射率分别为0.07%和0.16%,薄膜粘附失效的临界附着力和激光损伤阈值分别为137.4 mN和15.14 J/cm2,薄膜激光损伤发生在Al2O3膜层.

薄膜光学、二倍频增透膜、LBO晶体、附着力、激光损伤阈值

29

O484.4+1(固体物理学)

辽宁省教育厅科研计划2008224;沈阳市科学技术计划1071115-1-00资助课题

2009-11-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

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0253-2239

31-1252/O4

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2009,29(7)

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