(nc-Si/SiO2)/SiO2多层量子点结构的激子能级

摘要：

采用球型量子点模型,应用有效质量近似理论,研究了(nc-Si/SiO2)/SiO2多层量子点结构的激子能级和波函数.结果表明,有限深势阱模型的引入更符合实际更加准确.无论在无限深或有限深势阱下,激子质心运动部分基态能量随最子点半径的减小而急剧增大.对于相同的量子点半径α,无限深势阱下的质心部分能量总比有限深势阱高,且二者的差距随α的减小小而增大.

关键词：硅量子点、激子能级、有效质量近似、有限深势阱、无限深势阱

所属期刊栏目：29

分类号：O471(半导体物理学)

资助基金：福建省自然科学基金E0410018;国务院侨办科研基金06QZR02;福建省泉州市科技计划重点项目2008GT资助课题

在线出版日期：2009-06-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1320-1323