Si衬底功率型GaN基绿光LED性能

摘要：

对本实验室在Si(111)衬底上MOCVD法生长的芯片尺寸为400 μm×600μm功率型绿光LED的光电性能进行研究.带有银反射镜的LED在20 mA的电流下正向工作电压为3.59 V,主波长518 nm,输出光功率为7.3 mW,90 mA下达到28.2 mW,发光功率效率为7.5%,光输出饱和电流高达600 mA.在200 mA电流下加速老化216 h,有银反射镜的LED光衰小于尤银反射镜的LED,把这一现象归结于Ag反射镜在提高出光效率的同时,降低了芯片奉身的温度.本器件有良好的发光效率,光衰和光输出饱和电流等综合特性表明,Si衬底GaN基绿光LED具有诱人的发展前景.

关键词：光学材料、Ag反射镜、加速老化、Si衬底、绿光LED

所属期刊栏目：29

分类号：TN312.8(半导体技术)

资助基金：国家863计划纳米专项2003AA302160;国家863计划光电子主题课题2005AA311010资助课题

在线出版日期：2009-06-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1066-1069