光增强湿法刻蚀提高Si衬底垂直结构GaN基LED的出光效率

摘要：

以0.1 MK2S2O8+KOH和氙灯分别作为刻蚀剂和紫外光源,采用光增强湿法刻蚀转移衬底的垂直结构GaN基LED的n型GaN,对N面有电极和没有电极的芯片的n型GaN层进行刻蚀.结果表明,在相同的刻蚀条件下,N面有电极的n型GaN层刻蚀速率明显大于没有电极的n型GaN;而它们的均方根粗糙度(RMS)则结果相反.刻蚀后的形貌呈圆锥型凸起.20 mA下刻蚀后的裸芯光输出功率较刻蚀前提高了88.5%.

关键词：光学材料、出光效率、光增强湿法刻蚀、垂直结构GaN基LED、Si衬底

所属期刊栏目：29

分类号：TN312+.8(半导体技术)

资助基金：国家863计划纳米专项2003AA302160;国家863计划光电子主题课题2005AA311010资助课题

在线出版日期：2009-03-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：252-255