Zn杂质扩散诱导AlGaInP/GaInP量子阱混杂

摘要：

杂质扩散诱导量子阱混杂技术可用于制作腔面非吸收窗口,提高大功率半导体激光器的输出功率.以Zn2As2为扩散源,采用闭管扩散方式,在550℃下对650 nm半导体激光器的外延片进行了一系列Zn杂质扩散诱导量子阱混杂的实验.实验发现,随着扩散时间从20～120 min,样品光致发光(PL)谱蓝移偏移增加,峰值波长蓝移53 nm;当扩散时间超过60 min后,样品的PL谱中不仅出现了常见的蓝移峰,同时还出现了红移峰,峰值波长红移32 nm.分析表明PL谱蓝移来自Zn扩散引起的AlGaInP/GaInP间的量子阱混杂;红移来自Zn杂质扩散对样品中Ga0.51In0.49P缓冲层的影响.还研究了扩散温度(550℃)和扩散时间对样品晶体品质的影响,并在理论上计算了AlGaInP/GaInP量子阱混杂巾的Al-Ga的互扩散系数.

关键词：光学材料、半导体激光器、量子阱混杂、扩散、蓝移、AlGaInP

所属期刊栏目：28

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：中国博士后科学基会20070411137资助课题

在线出版日期：2009-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：2209-2214