立方晶相HfO2电子结构与光学性质的第一性原理计算

摘要：

利用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法计算了立方晶相二氧化铪(c-HfO2)的电子结构,得到了c-HfO2的总念密度、分波态密度和能带结构.经带隙校正后,计算了c-HfO2的光学线性响应函数随光子能最的变化关系,包括复介电函数,反射率、复折射率以及光学吸收系数,并从理论上给出了c-HfO2材料光学性 质与电子结构的关系.经比较发现,对c-HfO2的电子结构和光学性质的计算结果与已有的实验数据和其它理论研究吻合得较好,从而为c-HfO2光电材料的设计与应用提供了理论依据.同时,计算结果也表明采用密度泛函理论的广义梯度近似来计算和预测c-HfO2材料的电子结构和光学性质是比较可靠的.

关键词：材料、c-HfO2、光学性质、电子结构、密度泛函理论、第一性原理

所属期刊栏目：28

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：西北工业大学基础研究基金NPU-FFR-W018108资助课题

在线出版日期：2009-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：2191-2194