热丝和射频等离子体化学气相沉积法制备定向碳纳米管薄膜
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10.3321/j.issn:0253-2239.2008.09.035

热丝和射频等离子体化学气相沉积法制备定向碳纳米管薄膜

引用
采用热丝和射频等离子体复合化学气相沉积设备(PE-HF-CVD),以CH4、H2和N2为反应气体.在较低衬底温度下(500℃),用简单的催化剂制备方法--旋涂法在硅片上涂覆Ni(NO3)2溶液,经热处理及H2还原后的Ni颗粒为催化剂,在硅衬底上制备出了垂直于硅片且定向生长的碳纳米管薄膜.扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)结果显示,1 mol/l的硝酸镍溶液旋涂硅片所得催化剂制得的碳纳米管管径为30~50 nm,长度超过4μm,定向性好.并用拉曼光谱(Raman)对不同摩尔浓度Ni(NO3)2溶液条件下制备的碳纳米管薄膜样品进行了表征.

薄膜光学、定向碳纳米管薄膜、低温制备、热丝射频等离子体增强化学气相沉积、旋涂法

29

TB34(工程材料学)

国家自然科学基金50372013;高等学校博士学科点专项科研基金20050562002;广东省自然科学基金07001769;广东省科技计划项目2004B10301008;广东省教育厅自然科学研究重点项目04Z005资助课题

2008-11-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

1824-1827

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光学学报

0253-2239

31-1252/O4

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2008,29(9)

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