退火对ZnO薄膜晶体结构和ZnO/p-Si异质结光电性质的影响

摘要：

采用脉冲激光沉积方法在p-Si(100)衬底卜牛长ZnO薄膜,分别在500℃、600℃和700℃下真空退火,采用X射线衍射仪研究了退火对ZnO薄膜品体结构的影响,并测量了ZnO的面电阻和ZnO/p-Si异质结的、I-V特性曲线.研究表明,随着退火温度的升高,ZnO的(002)衍射峰强度逐渐增大,半峰全宽不断减小,同时薄膜内应力减小,ZnO晶粒尺寸变大.表明高温退火有助于ZnO薄膜结晶质量的提高.在没有光照的条件下,异质结的漏电流随退火温度的增加而增大;用650 nm光照射样品时,600℃退火的样品表现出最明显的光电效应,而过高的退火温度会破坏ZnO/p-Si异质结的界面结构,使其光电流变小.所以,要得到性能良好的光电器件,应选取适当的退火温度.

关键词：薄膜光学、光电效应、退火、脉冲激光沉积、ZnO/p-Si

所属期刊栏目：28

分类号：TN364(半导体技术)

在线出版日期：2008-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1411-1414