不同响应波长的HgCdTe光导器件噪声分析

摘要：

研究了不同响应波长的HgCdTe器件在不同背景辐射条件下的噪声变化.随着背景辐射的增加,甚长波器件的噪声减小,而中波器件相反.噪声频谱测量表明,产生-复合噪声分量和1/f噪声分量是器件的主要噪声来源,并且这两个分量随背景的变化趋势相同.非平衡载流子和器件有效寿命的理论分析,表明器件噪声随背景辐射的变化存在一个极大值,而中波和甚长波器件处在不同的作用区域内,接受到的背景辐射对载流子浓度和器件有效寿命的影响不同,从而噪声变化表现不同.在此基础上,提出了"临界背景通量密度"的概念.

关键词：半导体探测器、背景辐射、噪声、临界背景通量密度、HgCdTe

所属期刊栏目：28

分类号：TN304.2+6;TN36(半导体技术)

在线出版日期：2008-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1369-1373