含负折射率缺陷的光量子阱的透射特性及理论模拟

摘要：

利用转移矩阵方法对含负折射率缺陷的一维光子晶体量子阱结构的透射特性进行了研究.结果表明,当缺陷为偶数个时,结构透射谱中有两个透射峰;当缺陷为奇数个时,透射谱中只有中心处一个透射峰,且随着缺陷层数的增加,该处峰的品质因子逐渐提高.因电磁波在缺陷处的强烈局域,所以阱中局域态的透射率对缺陷的折射率有很强的依赖作用.通过控制入射光的强度可使缺陷的折射率发生微小的改变,进而使局域态的透射率发生明显改变,这样就可制作高效光开关.

关键词：光电子学、光量子阱、转移矩阵法、负折射率材料

所属期刊栏目：27

分类号：O431;O734(光学)

资助基金：山西省高科技开发项目2007146;山西省留学回国人员科研资助项目2005063

在线出版日期：2008-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2245-2249